Настройки оперативной памяти DDR2/DDR3
Пункт меню BIOS | Описание |
---|---|
SDRAM CAS Latency Time | Задержка между сигналом CAS и началом процесса получения данных из памяти. Для получения оптимальной производительности на DDR устанавливается 2 или 2,5. Для DDR2 задержку увеличивают на 1-2 единицы, для DDR3 - еще на 1-2. |
SDRAM Cycle Time Tras/Trc |
Количество тактов между активной командой обращения к памяти (Tras) и командой на предварительный заряд (Precharge), а также числом тактов между завершением регенерации (Trc) и RAS.
Возможные значения:
|
SDRAM RAS to CAS Delay |
Время задержки между сигналами RAS и CAS. Повышая на один такт, увеличиваем стабильность, уменьшая - производительность.
Оптимальные значения:
|
SDRAM RAS Precharge Time | Количество тактов до начала регенерации памяти, за которые RAS должна накопить необходимый заряд. Оптимальное значение 2 или 3 такта. |
SDRAM Cycle Length | Задержка времени (в тактах) с момента получения сигнала CAS до начала получения данных из памяти. Для получения оптимальной производительности на DDR устанавливается 2 или 2,5. Для DDR2 задержку увеличивают на 1-2 единицы, для DDR3 - еще на 1-2. |
SDRAM Configuration |
Время доступа к оперативной памяти.
Возможные значения:
|
Bank 0/1 DRAM Timing | То же, что SDRAM Configuration для модуля памяти, вставленного в первый разъем. |
Bank 2/3 DRAM Timing | То же, что SDRAM Configuration для модуля памяти, вставленного во второй разъем. |
Bank 4/5 DRAM Timing | То же, что SDRAM Configuration для модуля памяти, вставленного в третий разъем. |
Bank 6/7 DRAM Timing | То же, что SDRAM Configuration для модуля памяти, вставленного в четвертый разъем. |
DRAM Clock |
Тактовая частота работы модулей памяти.
Возможные значения:
|
DRAM Page Idle Timer | Время (в системных тактах), в течение которого контроллер памяти после перехода процессора в режим ожидания должен ожидать закрытия всех открытых страниц памяти. Уменьшая время - повышаем производительность и понижаем надежность. Обычно используются значения в интервале от 4 до 10 тактов, для новой скоростной памяти может быть установлено 32 такта. |
Fast RW Turn Around |
Активация режима отключения задержки при чтении/записи.
Возможные значения:
|
Refresh RAS# Assertion | Время активности сингала RAS. Обычно устанавливается 3 или 4 такта. |
SDRAM Active to Precharge Time | Время задержки между обращением к памяти и началом регенерации. Обычно устанавливается 6 тактов. |
SDRAM Banks Close Policy |
Правило закрытия банков памяти.
Возможные значения:
|
SDRAM MA Wait State |
Дополнительная задержка перед чтением данных ячейки памяти.
Возможные значения:
|
SDRAM Refresh Rate |
Период регенерации памяти. Увеличение частоты повышает надежность и снижает производительность. Зависит от типа материнской платы и версии БИОС.
Возможные значения:
|
SDRAM Speculative Read |
Активация режима спекулятивного чтения, когда сигнал на чтение выдается раньше обычного.
Возможные значения:
|
System/SDRAM Frequency Ratio | Соотношения частот системной шины и шины памяти (справочные значения). |
DDR 128-Bit Access |
Активация режима 128-битного доступа к памяти.
Возможные значения:
|
DDR Timing by SPD SDRAM Configuration |
Аналогично SDRAM Configuration. |
DDR Frequency | Аналогично DRAM Clock. |
DDR 128-Bit Access |
Активация режима 128-битного доступа к памяти типа DDR SDRAM.
Возможные значения:
|
DDR Reference Voltage |
Ручная регулировка напряжений, подаваемых на модули памяти.
Возможные значения:
|
SDRAM CAS Latency DDR CAS# Latency |
Аналогично SDRAM Cycle Length. |
DRAM PH Limit | Количество последовательных пакетных циклов обращения к памяти при поступлении запроса на обычный цикл записи или чтения. Обычно используется значение 8. |
DRAM Idle Limit | Аналогично DRAM Page Idle Timer. |
DRAM Trc Timing Value | Время обращения (количество тактов) к одному и тому же банку данных. Обычно - 8. |
DRAM Trp Timing Value | Время паузы (в тактах) после регенерации памяти перед обращением к ней. Обычно - 3. |
DRAM Tras Timing Value Tras |
Время паузы (в тактах) после обращения к памяти и началом регенерации. Обычно от 7 тактов для SDRAM до 24 тактов для DDR3. |
DRAM Trsd Timing Value Trsd |
Аналогично SDRAM RAS to CAS Delay. |
DDR Refresh Rate | Аналогично SDRAM Refresh Rate. |
DDR Reference Voltage | Аналогично DDR Reference Voltage. |
Refrech Mode Select |
Задание метода регенерации памяти.
Возможные значения:
|
SDRAM (CAS Lat/RAS-to-CAS) | Изменение комбинации длительности сигнала CAS и задержки между сигналами RAS и CAS для SDRAM. |
SDRAM Capability | Информация об установленных модулях памяти (справочное значение). |
SDRAM Operating Mode | Информация о частотах модулей памяти (справочное значение). |
SDRAM Page Control |
Активация режима задержки закрытия обработанной страницы памяти (для модулей DRAM). Это снижает стабильность работы, но повышает производительность. В обычном режиме после обработки страницы памяти она сразу же закрывается. Но, довольно часто система через непродолжительное время вновь обращается к этой же странице памяти. Если оставить такую страницу на некоторое время открытой, то скорость работы возрастает.
Возможные значения:
|
SDRAM Precharge Control |
Какое устройство управляет предзарядом оперативной памяти.
Возможные значения:
|
Super Bypass Function |
Активация прямого доступа к памяти без задержек на обработку очереди запросов (для DDR, DDR2, DDR3).
Возможные значения:
|
Super Bypass Wait State |
Активация дополнительного такта задержки при обращении к памяти DDR SDRAM в режиме прямых обращений, что обеспечивает более высокую стабильность при работе в данном режиме.
Возможные значения:
|