| Пункт меню BIOS |
Описание |
| SDRAM CAS Latency Time |
Задержка между сигналом CAS и началом процесса получения данных из памяти. Для получения оптимальной производительности на DDR устанавливается 2 или 2,5. Для DDR2 задержку увеличивают на 1-2 единицы, для DDR3 - еще на 1-2.
|
| SDRAM Cycle Time Tras/Trc |
Количество тактов между активной командой обращения к памяти (Tras) и командой на предварительный заряд (Precharge), а также числом тактов между завершением регенерации (Trc) и RAS.
Возможные значения:
- 5/7 - наиболее быстрое значение;
- 6/8 - стандартное значение (по умолчанию).
|
| SDRAM RAS to CAS Delay |
Время задержки между сигналами RAS и CAS. Повышая на один такт, увеличиваем стабильность, уменьшая - производительность.
Оптимальные значения:
- DDR - 3 такта;
- DDR2 - 4 такта;
- DDR3 - 5 или 6 тактов.
|
| SDRAM RAS Precharge Time |
Количество тактов до начала регенерации памяти, за которые RAS должна накопить необходимый заряд. Оптимальное значение 2 или 3 такта.
|
| SDRAM Cycle Length |
Задержка времени (в тактах) с момента получения сигнала CAS до начала получения данных из памяти. Для получения оптимальной производительности на DDR устанавливается 2 или 2,5. Для DDR2 задержку увеличивают на 1-2 единицы, для DDR3 - еще на 1-2.
|
| SDRAM Configuration |
Время доступа к оперативной памяти.
Возможные значения:
- Auto - автоматическое определение времени доступа, будет производиться при каждой загрузке компьютера;
- 10 ns - 10 наносекунд, для SDRAM PC100;
- 8 ns - 8 наносекунд, для SDRAM PC133;
- 7 ns - 7 наносекунд, для разгона памяти.
|
| Bank 0/1 DRAM Timing |
То же, что SDRAM Configuration для модуля памяти, вставленного в первый разъем.
|
| Bank 2/3 DRAM Timing |
То же, что SDRAM Configuration для модуля памяти, вставленного во второй разъем.
|
| Bank 4/5 DRAM Timing |
То же, что SDRAM Configuration для модуля памяти, вставленного в третий разъем.
|
| Bank 6/7 DRAM Timing |
То же, что SDRAM Configuration для модуля памяти, вставленного в четвертый разъем.
|
| DRAM Clock |
Тактовая частота работы модулей памяти.
Возможные значения:
- HOST CLK - частота модулей памяти равна частоте системной шины (по умолчанию);
- 100, 133, 200 MHz - фиксированное значение частоты;
- CLK +33 - частота памяти увеличена на 33 МГц относительно системной шины;
- CLK -33 - частота памяти уменьшена на 33 МГц относительно системной шины.
|
| DRAM Page Idle Timer |
Время (в системных тактах), в течение которого контроллер памяти после перехода процессора в режим ожидания должен ожидать закрытия всех открытых страниц памяти. Уменьшая время - повышаем производительность и понижаем надежность. Обычно используются значения в интервале от 4 до 10 тактов, для новой скоростной памяти может быть установлено 32 такта.
|
| Fast RW Turn Around |
Активация режима отключения задержки при чтении/записи.
Возможные значения:
- Enabled - задержки нет (по умолчанию).
- Disabled - задержка составляет 1 такт.
|
| Refresh RAS# Assertion |
Время активности сингала RAS. Обычно устанавливается 3 или 4 такта.
|
| SDRAM Active to Precharge Time |
Время задержки между обращением к памяти и началом регенерации. Обычно устанавливается 6 тактов.
|
| SDRAM Banks Close Policy |
Правило закрытия банков памяти.
Возможные значения:
- Page Miss - для двухбанковых модулей памяти;
- Arbitration - для четырехбанковых модулей памяти.
|
| SDRAM MA Wait State |
Дополнительная задержка перед чтением данных ячейки памяти.
Возможные значения:
- 0 (Fast) - нет задержки;
- 1 (Normal) - задержка 1 такт;
- 2 (Slow) - задержка 2 такта.
|
| SDRAM Refresh Rate |
Период регенерации памяти. Увеличение частоты повышает надежность и снижает производительность. Зависит от типа материнской платы и версии БИОС.
Возможные значения:
- 7.8 ms, 15.6 ms, 31.2 ms, 62.4 ms, 124.8 ms - частота регенерации в микросекундах;
- Normal - стандартная частота регенерации памяти;
- Fast - ускоренная частота регенерации;
- Slow - пониженная частота регенерации.
|
| SDRAM Speculative Read |
Активация режима спекулятивного чтения, когда сигнал на чтение выдается раньше обычного.
Возможные значения:
- Enabled - режим включен;
- Disabled - режим выключен (по умолчанию).
|
| System/SDRAM Frequency Ratio |
Соотношения частот системной шины и шины памяти (справочные значения).
|
| DDR 128-Bit Access |
Активация режима 128-битного доступа к памяти.
Возможные значения:
- Enabled - режим включен;
- Disabled - режим выключен (по умолчанию).
|
DDR Timing by SPD
SDRAM Configuration |
Аналогично SDRAM Configuration.
|
| DDR Frequency |
Аналогично DRAM Clock.
|
| DDR 128-Bit Access |
Активация режима 128-битного доступа к памяти типа DDR SDRAM.
Возможные значения:
- Enabled - режим включен (по умолчанию);
- Disabled - режим выключен.
|
| DDR Reference Voltage |
Ручная регулировка напряжений, подаваемых на модули памяти.
Возможные значения:
- DDR SDRAM - Auto, 2.55 V, 2.65 V, 2.75 V, 2.85 V
- DDR2 SDRAM - Auto, 1.75 V, 1.85 V, 1.95 V, 2.05 V
- DDR3 - 1.45 V, 1.55 V, 1.65 V, 1.75 V
|
SDRAM CAS Latency
DDR CAS# Latency |
Аналогично SDRAM Cycle Length.
|
| DRAM PH Limit |
Количество последовательных пакетных циклов обращения к памяти при поступлении запроса на обычный цикл записи или чтения. Обычно используется значение 8.
|
| DRAM Idle Limit |
Аналогично DRAM Page Idle Timer.
|
| DRAM Trc Timing Value |
Время обращения (количество тактов) к одному и тому же банку данных. Обычно - 8.
|
| DRAM Trp Timing Value |
Время паузы (в тактах) после регенерации памяти перед обращением к ней. Обычно - 3.
|
DRAM Tras Timing Value
Tras |
Время паузы (в тактах) после обращения к памяти и началом регенерации. Обычно от 7 тактов для SDRAM до 24 тактов для DDR3.
|
DRAM Trsd Timing Value
Trsd |
Аналогично SDRAM RAS to CAS Delay.
|
| DDR Refresh Rate |
Аналогично SDRAM Refresh Rate.
|
| DDR Reference Voltage |
Аналогично DDR Reference Voltage.
|
| Refrech Mode Select |
Задание метода регенерации памяти.
Возможные значения:
- RAS Before CAS - сигнал RAS устанавливается раньше сигнала CAS;
- CAS Before RAS - сигнал CAS устанавливается раньше сигнала RAS;
- RAS only - исользуется только сигнал RAS;
- Normal - стандартный метод, при котором процессор не имеет доступа к памяти во время регенерации;
- Hidden - скрытый метод, при котором контроллер выбирает наиболее благоприятные моменты для регенерации, при этом процессор имеет доступ к памяти во время регенерации.
|
| SDRAM (CAS Lat/RAS-to-CAS) |
Изменение комбинации длительности сигнала CAS и задержки между сигналами RAS и CAS для SDRAM.
|
| SDRAM Capability |
Информация об установленных модулях памяти (справочное значение).
|
| SDRAM Operating Mode |
Информация о частотах модулей памяти (справочное значение).
|
| SDRAM Page Control |
Активация режима задержки закрытия обработанной страницы памяти (для модулей DRAM). Это снижает стабильность работы, но повышает производительность. В обычном режиме после обработки страницы памяти она сразу же закрывается. Но, довольно часто система через непродолжительное время вновь обращается к этой же странице памяти. Если оставить такую страницу на некоторое время открытой, то скорость работы возрастает.
Возможные значения:
- Always Open - страницы остаются открытыми некоторое время;
- Page Closes - обычный режим, страницы сразу закрываются.
|
| SDRAM Precharge Control |
Какое устройство управляет предзарядом оперативной памяти.
Возможные значения:
- Enabled - предзарядом управляет контроллер памяти (соответствует повышенной производительности);
- Disabled - предзарядом управляет процессор (соответствует повышенной надежности).
|
| Super Bypass Function |
Активация прямого доступа к памяти без задержек на обработку очереди запросов (для DDR, DDR2, DDR3).
Возможные значения:
- Enabled - прямое обращение разрешено;
- Disabled - прямое обращение запрещено.
|
| Super Bypass Wait State |
Активация дополнительного такта задержки при обращении к памяти DDR SDRAM в режиме прямых обращений, что обеспечивает более высокую стабильность при работе в данном режиме.
Возможные значения:
- Enabled - дополнительный такт задержки включен;
- Disabled - дополнительный такт задержки выключен.
|
