Настройки оперативной памяти DRAM

Пункт меню BIOS	Описание
CPU to DRAM Page Mode	Активация режима задержки закрытия обработанной страницы памяти. Это снижает стабильность работы, но повышает производительность. В обычном режиме после обработки страницы памяти она сразу же закрывается. Но, довольно часто система через непродолжительное время вновь обращается к этой же странице памяти. Если оставить такую страницу на некоторое время открытой, то скорость работы возрастает. Возможные значения: Always Open - страницы остаются открытыми некоторое время; Page Closes - обычный режим, страницы сразу закрываются.
Fast MA to RAS# Delay	Время задержки между циклами обращения к памяти. Применяется для модулей FPM DRAM, задается в системных тактах.
DRAM Clock	Тактовая частота модулей памяти. Возможные значения: Host CLK - частота модулей памяти равна тактовой частоте системной шины (по умолчанию); 66 МГц
DRAM RAS to CAS Delay	Время задержки между сигналами RAS и CAS. Уменьшение времени повышает производительность, но снижает стабильность системы.
DRAM Interleave Mode	Активация режима чередования адресов оперативной памяти. Это дает существенный прирост производительности системы в случае обращения к большим массивам последовательных адресов памяти. Возможные значения: No Interleave - режим отключен; Banks 0+1 - режим чередования адресов включен для банков 0 и 1; Banks 2+3 - режим чередования адресов включен для банков 2 и 3; Both - режим чередования включен для всех банков.
DRAM Page Idle Timer	Время (в системных тактах), в течение которого контроллер закрывает открытые страницы памяти. Уменьшая время повышаем производительность и снижаем стабильность. Подбор оптимального значения надо определять опытным путем (обычно подходит значение от 4 до 10 тактов). Возможные значения: Auto 1T 2T 4T 8T 10T 12T 16T 32T
DRAM Prefetch Buffer	Активация использования буфера предвыборки оперативной памяти, что повышает производительность работы. Возможные значения: Enabled - использование буфера включено; Disabled - использование буфера выключено.
DRAM Prefetch Buffer Size	Размер буфера предвыборки, активируемый предыдущей опцией.
DRAM RAS# Precharge Time	Время (в системных тактах) заряда сигнала RAS. Чем меньше время, тем больше скорость, но повышается вероятность неполной регенерации, что ведет к потере данных. Рекомендуемые значения: модули памяти с временем доступа 60 нс - 3 такта; модули памяти с временем доступа 70 нс - 4 такта; DDR2/DDR3 (1066 MHz) - 7 тактов.
DRAM Read Burst Timing	Величина задержки при пакетном чтении данных, при котором обращение производится к первой ячейке, а чтение - из трех последующих. Возможные значения: x111 - SDRAM, DDR SDRAM x222 - EDO RAM (60 ns) x333 - EDO RAM (70 ns), FPM RAM (60 ns) x444 - FPM RAM (70 ns)
DRAM Refresh Method	Задание метода регенерации памяти. Возможные значения: RAS Before CAS - сигнал RAS устанавливается раньше сигнала CAS; CAS Before RAS - сигнал CAS устанавливается раньше сигнала RAS; RAS only - исользуется только сигнал RAS; Normal - стандартный метод, при котором процессор не имеет доступа к памяти во время регенерации; Hidden - скрытый метод, при котором контроллер выбирает наиболее благоприятные моменты для регенерации, при этом процессор имеет доступ к памяти во время регенерации.
DRAM Read Burst (EDO/FP)	Аналогично DRAM Read Burst Timing.
DRAM Refresh Period	Частота повтора регенерации памяти. Значения зависят от типа материнской платы и версии БИОС. Возможные значения: For 50 MHz Bus - частота регенерации соответствует частоте шины - 50 МГц; For 60 MHz Bus - частота регенерации соответствует частоте шины - 60 МГц; For 66 MHz Bus - частота регенерации соответствует частоте шины - 66 МГц; Disabled - пониженная частота регенерации; 7.8 ms, 15.6 ms, 31.2 ms, 62.4 ms - частота регенерации в микросекундах; Normal - стандартная частота регенерации; Fast - ускоренная частота регенерации; Slow - пониженная частота регенерации.
DRAM R/W Leadoff Timing	Время задержки (в тактах) для подготовки к любой операции чтения/записи. Обычно используется 6 тактов системной шины.
DRAM Type	Тип используемых модулей памяти.
EDO CAS# MA Wait State	Задание дополнительного такта задержки после сигнала CAS. Бывает необходимо для модулей памяти EDO RAM, у которых технологическая задержка равна одному такту. Возможные значения: 1 - стандартная задержка; 2 - увеличенная задержка.
EDO RAS# Wait State	То же самое для сигнала RAS.
Extended Refresh	Увеличение времени регенерации памяти с 15,6 мкс до 125 мкс для модулей памяти EDO DRAM. Целесообразно использовать только для высококачественных модулей памяти. Возможные значения: Enabled - опция включена; Disabled - опция выключена.

В начало страницы

Всё о BIOS

Настройки оперативной памяти DRAM