| Пункт меню BIOS |
Описание |
| CPU to DRAM Page Mode |
Активация режима задержки закрытия обработанной страницы памяти. Это снижает стабильность работы, но повышает производительность. В обычном режиме после обработки страницы памяти она сразу же закрывается. Но, довольно часто система через непродолжительное время вновь обращается к этой же странице памяти. Если оставить такую страницу на некоторое время открытой, то скорость работы возрастает.
Возможные значения:
- Always Open - страницы остаются открытыми некоторое время;
- Page Closes - обычный режим, страницы сразу закрываются.
|
| Fast MA to RAS# Delay |
Время задержки между циклами обращения к памяти. Применяется для модулей FPM DRAM, задается в системных тактах.
|
| DRAM Clock |
Тактовая частота модулей памяти.
Возможные значения:
- Host CLK - частота модулей памяти равна тактовой частоте системной шины (по умолчанию);
- 66 МГц
|
| DRAM RAS to CAS Delay |
Время задержки между сигналами RAS и CAS. Уменьшение времени повышает производительность, но снижает стабильность системы.
|
| DRAM Interleave Mode |
Активация режима чередования адресов оперативной памяти. Это дает существенный прирост производительности системы в случае обращения к большим массивам последовательных адресов памяти.
Возможные значения:
- No Interleave - режим отключен;
- Banks 0+1 - режим чередования адресов включен для банков 0 и 1;
- Banks 2+3 - режим чередования адресов включен для банков 2 и 3;
- Both - режим чередования включен для всех банков.
|
| DRAM Page Idle Timer |
Время (в системных тактах), в течение которого контроллер закрывает открытые страницы памяти. Уменьшая время повышаем производительность и снижаем стабильность. Подбор оптимального значения надо определять опытным путем (обычно подходит значение от 4 до 10 тактов).
Возможные значения:
- Auto
- 1T
- 2T
- 4T
- 8T
- 10T
- 12T
- 16T
- 32T
|
| DRAM Prefetch Buffer |
Активация использования буфера предвыборки оперативной памяти, что повышает производительность работы.
Возможные значения:
- Enabled - использование буфера включено;
- Disabled - использование буфера выключено.
|
| DRAM Prefetch Buffer Size |
Размер буфера предвыборки, активируемый предыдущей опцией.
|
| DRAM RAS# Precharge Time |
Время (в системных тактах) заряда сигнала RAS. Чем меньше время, тем больше скорость, но повышается вероятность неполной регенерации, что ведет к потере данных.
Рекомендуемые значения:
- модули памяти с временем доступа 60 нс - 3 такта;
- модули памяти с временем доступа 70 нс - 4 такта;
- DDR2/DDR3 (1066 MHz) - 7 тактов.
|
| DRAM Read Burst Timing |
Величина задержки при пакетном чтении данных, при котором обращение производится к первой ячейке, а чтение - из трех последующих.
Возможные значения:
- x111 - SDRAM, DDR SDRAM
- x222 - EDO RAM (60 ns)
- x333 - EDO RAM (70 ns), FPM RAM (60 ns)
- x444 - FPM RAM (70 ns)
|
| DRAM Refresh Method |
Задание метода регенерации памяти.
Возможные значения:
- RAS Before CAS - сигнал RAS устанавливается раньше сигнала CAS;
- CAS Before RAS - сигнал CAS устанавливается раньше сигнала RAS;
- RAS only - исользуется только сигнал RAS;
- Normal - стандартный метод, при котором процессор не имеет доступа к памяти во время регенерации;
- Hidden - скрытый метод, при котором контроллер выбирает наиболее благоприятные моменты для регенерации, при этом процессор имеет доступ к памяти во время регенерации.
|
| DRAM Read Burst (EDO/FP) |
Аналогично DRAM Read Burst Timing.
|
| DRAM Refresh Period |
Частота повтора регенерации памяти. Значения зависят от типа материнской платы и версии БИОС.
Возможные значения:
- For 50 MHz Bus - частота регенерации соответствует частоте шины - 50 МГц;
- For 60 MHz Bus - частота регенерации соответствует частоте шины - 60 МГц;
- For 66 MHz Bus - частота регенерации соответствует частоте шины - 66 МГц;
- Disabled - пониженная частота регенерации;
- 7.8 ms, 15.6 ms, 31.2 ms, 62.4 ms - частота регенерации в микросекундах;
- Normal - стандартная частота регенерации;
- Fast - ускоренная частота регенерации;
- Slow - пониженная частота регенерации.
|
| DRAM R/W Leadoff Timing |
Время задержки (в тактах) для подготовки к любой операции чтения/записи. Обычно используется 6 тактов системной шины.
|
| DRAM Type |
Тип используемых модулей памяти.
|
| EDO CAS# MA Wait State |
Задание дополнительного такта задержки после сигнала CAS. Бывает необходимо для модулей памяти EDO RAM, у которых технологическая задержка равна одному такту.
Возможные значения:
- 1 - стандартная задержка;
- 2 - увеличенная задержка.
|
| EDO RAS# Wait State |
То же самое для сигнала RAS.
|
| Extended Refresh |
Увеличение времени регенерации памяти с 15,6 мкс до 125 мкс для модулей памяти EDO DRAM. Целесообразно использовать только для высококачественных модулей памяти.
Возможные значения:
- Enabled - опция включена;
- Disabled - опция выключена.
|
