HTML, Excel, Word, SEOВсё о BIOS ⇒ Общие настройки оперативной памяти

Всё о BIOS

Как настроить BIOS
· Что такое BIOS
· Что такое CMOS
· Включение ПК
· AWARD BIOS 4.51PG
· AWARD BIOS 6.0
· AWARD BIOS 6.0PG
· AMI BIOS 1.24 (1.45)
· AMI BIOS 8.00
· BIOS PHOENIX + AWARD, BIOS INTEL
Базовые настройки BIOS
· Системное время и дата
· Жесткий диск
· Загрузка компьютера
· Обработка ошибок
· Антивирусная защита
· Настройка чипсета
· Процессор
· Общие настройки процессора
· Настройки кэш-памяти
· Как работает оперативная память
· Общие настройки оперативной памяти
· Настройки DRAM
· Настройки DDR2/DDR3
· Настройки клавиатуры и мыши
· Настройки шины PCI
· Настройки шины AGP и PCI Express
· Настройки IDE-контроллера
· Настройки USB и FIREWIRE
· Настройки портов COM и LPT
· Настройки звука
· Пароли БИОС
· Настройки прерываний
· Управление питанием
· Мониторинг компьютера
Сообщения об ошибках
· Сигналы AWARD BIOS
· Сигналы AMI BIOS
· Сигналы PHOENIX BIOS
· Вывод на монитор



Общие настройки оперативной памяти


Пункт меню BIOS Описание
Auto Configuration Установка либо автоматического определения и настройки скорости доступа к оперативной памяти, либо "ручного".
Возможные значения:
  • Auto - тип памяти и время доступа к памяти определяются автоматически каждый раз при загрузке компьютера;
  • 70 ns - устанавливается время 70 наносекунд (для модулей DRAM);
  • 60 ns - устанавливается время 60 наносекунд (для модулей DRAM);
  • 10 ns - устанавливается время 10 наносекунд (для модулей SDRAM PC100);
  • 8 ns - устанавливается время 8 наносекунд (для модулей SDRAM PC133).
CAS# Latency Установка времени задержки CAS (между выдачей сигнала CAS и началом устойчивого чтения данных). Устанавливается в системных тактах. Уменьшение времени повышает производительность, но ухудшает устойчивость работы.
Попробуйте установить 2 такта (для DDR), в случае нестабильной работы - установите 3 такта. Для DDR2 все значения больше на 1. Для DDR3 - еще на 1.
Gate A20 Option Управление адресной линией, отвечающей за доступ к памяти, физические адреса которой превышают 1 Мб.
Возможные значения:
  • Normal - управление осуществляется контроллером клавиатуры;
  • Fast - управление осуществляется чипсетом системной платы (увеличивает скорость работы);
  • Configure DRAM Timing by SPD - включает и отключает автоматическую установку параметров памяти.
640KB to 1MB Cacheability Запрет/разрешение кэширования верхней области памяти (от 640 Кб до 1 Мб).
Возможные значения:
  • Enabled - кэширование разрешено;
  • Disabled - кэширование запрещено (рекомендуется).
Block-1 Memory Cacheable
Block-2 Memory Cacheable
Активация кэширования первого и второго некэшируемых блоков оперативной памяти (отведенные для "затенения" медленной памяти).
Возможные значения:
  • Yes - кэширование разрешено;
  • No - кэширование запрещено (рекомендуется).
Burst Refresh Активация пакетного режима регенерации оперативной памяти, когда регенерация будет осуществляться один раз за 60 мкс сразу для четырех строк памяти (обычно каждая строка регенерируется один раз в 15 мкс). Имеет смысл включать только для высококачественных модулей памяти, которые будут работать более быстро и при этом не сбоить.
Возможные значения:
  • Enabled - пакетный режим включен;
  • Disabled - пакетный режим выключен.
CAS Before RAS Refresh Установка сигнала CAS раньше сигнала RAS (вывернутый режим). Данный режим должны поддерживать модули памяти, установленные на компьютере.
Возможные значения:
  • Enabled - режим включен;
  • Disabled - режим выключен.
CAS# Pulse Width Длительность сигнала CAS (для чтения и записи одновременно) в такатах системной шины. Уменьшение сигнала повышает скорость, но снижает надежность.
Возможные значения:
  • 1Т - длительность сигнала равна одному такту;
  • 2Т - длительность сигнала равна двум тактам.
CAS-to-RAS Refresh Delay Опция доступна только, если используется, описанная выше, CAS Before RAS Refresh. Позволяет устанавливать время задержки между сигналами CAS и RAS. Уменьшение времени ускоряет работу и снижает стабильность.
Возможные значения:
  • 1Т - задержка сигнала равна одному такту;
  • 2Т - задержка сигнала равна двум тактам (по умолчанию).
Cacheable RAM Address Range Установка размера кэшируемой оперативной памяти (не должен превышать размер самой памяти).
Concurrent Refresh Активация возможности одновременного доступа к оперативной памяти чипсета и процессора, при этом повышается производительность, но снижается надежность.
Возможные значения:
  • Enabled - одновременный доступа разрешен;
  • Disabled - одновременный доступ запрещен.
Data Integrity (PAR/ECC) Активация контроля за ошибками работы оперативной памяти, при этом повышается надежность, но снижается производительность.
Возможные значения:
  • Enabled - контроль включен;
  • Disabled - контроль отключен.
DRAM Ahead Refresh Активация режима, при котором регенерация оперативной памяти может откладываться не некоторое количество тактов. Целесообразно использовать только в высококачественных микросхемамах.
Возможные значения:
  • Enabled - режим включен;
  • Disabled - режим выключен (по умолчанию).
DRAM ECC/Parity Select Выбор технологии обнаружения и коррекции ошибок оперативной памяти.
Возможные значения:
  • Parity - контроль четности. В случае обнаружения ошибки работа компьютера останавливается с выдачей сообщения на монитор;
  • ECC - коррекция ошибок (модули памяти должны поддерживать данный режим). При возникновении единичных ошибок они исправляются "на лету" и работа продолжается; при возникновении множественных ошибок работа останавливается.
DRAM ECC Mode Активация режима коррекции ошибок ECC.
Возможные значения:
  • Enabled - режим включен;
  • Disabled - режим выключен (по умолчанию).
DRAM Frequency Ручная установка частоты работы памяти. Может быть полезна, если используются разные типы памяти или система была ранее разогнана и теперь должна эксплуатироваться в щадящем режиме.
Возможные значения:
  • Auto - тип памяти (частота) определеяется автоматически (по умолчанию);
  • DDR2-400 - 400 МГц;
  • DDR2-533 - 533 МГц;
  • DDR2-600 - 600 МГц;
  • DDR2-800 - 800 МГц;
  • DDR2-1000 - 1000 МГц;
  • DDR3-1066 - 1066 МГц.
DRAM Read Latch Delay Задержка между появлением данных в регистре памяти и их чтением. Чем больше задержка, тем выше надежность и меньше производительность.
Возможные значения:
  • 0.0 ns - задержка отсутствует;
  • 0.5 ns - задержка 0,5 наносекунд;
  • 1.0 ns - задержка 1,0 наносекунду;
  • 1.5 ns - задержка 1,5 наносекунды.
DRAM Refresh Queue Активация конвейерного режима обработки данных, когда запросы на регенерацию оперативной памяти выстраиваются в очередь (обычно 4 запроса), тем самым повышается эффективность работы.
Возможные значения:
  • Enabled - режим включен (по умолчанию);
  • Disabled - режим выключен.
DRAM Refresh Queue Depth Установка количества запросов на регенерацию памяти при включенной предыдущей опции.
Возможные значения:
  • 0
  • 4
  • 8
  • 12
DRAM Speed Selection Время доступа к оперативной памяти. Уменьшение значения разгоняет память, но может привести к неработоспособности системы.
Возможные значения:
  • 50 ns
  • 60 ns
  • 70 ns
FSB:SDRAM:PCI Freq. Ratio Установка в ручном режиме относительных значений частот трех шин: системной шины, шины памяти, PCI-шины.
Это позволяет разгрузить одни шины и увеличить нагрузку на другие.
Hi-Speed Refresh Наиболее быстрая регенерация оперативной памяти чипсетом.
Возможные значения:
  • Enabled - влючено;
  • Disabled - выключено.
Hidden Refresh Активация режима скрытой регенерации, при котором процессор получает доступ к памяти еще до завершения процесса регенерации, что увеличивает производительность системы, при некотором снижении ее надежности. При этом данный режим должен поддерживаться модулями памяти.
Возможные значения:
  • Enabled - режим включен;
  • Disabled - режим выключен.
Hyper Path 3 Активация автоматического режима динамического разгона памяти, при котором скорость работы оперативной памяти повышается путем подбора соответствующих параметров.
Возможные значения:
  • Auto - автоматическое включение разгона, если модули памяти поддерживают данный режим;
  • Enabled - разгон включен;
  • Disabled - разгон выключен.
MA Wait State Активация дополнительного такта задержки перед началом чтения данных из оперативной памяти.
Возможные значения:
  • Slow - дополнительный такт присутствует (EDO DRAM);
  • Fast - дополнительный такт отсутствует (SDRAM - DDR, DDR2).
Memclock to CPU Ratio Установка рабочей частоты модулей оперативной памяти. Значения зависят от материнской платы и версии БИОС.
Memory Parity Error Check Активация контроля четности.
Возможные значения:
  • Enabled - контроль включен;
  • Disabled - контроль выключен.
Memory Read Wait State Задержка (в тактах системной шины) перед чтением данных из оперативной памяти. Может использоваться при нестабильной работе системы.
Возможные значения:
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
Memory Write Wait State То же самое, но перед записью данных в оперативную память.
Non Cacheable Block-1 Base
Non Cacheable Block-2 Base
Задание адресов первого и второго некэшируемых блоков оперативной памяти (по умолчанию - 0).
Optimization Method Активация одного из предустановленных профилей оптимизации оперативной памяти, в результате чего повышается производительность, но снижается надежность.
Возможные значения:
  • Normal - стандартный режим;
  • Turbo 1 - ускоренный режим;
  • Turbo 2 - максимально быстрый режим.
Precharge Closing Policy Активация режима одновременной подачи сигнала регенерации на все банки оперативной памяти.
Возможные значения:
  • Enabled - запрос подается одновременно;
  • Disabled - запрос подается поочередно.
RAMW# Timing Длительность сигнала записи в оперативную память.
Возможные значения:
  • Fast - короткий сигнал записи (1 такт системной шины);
  • Normal - нормальный сигнал записи (2 такта системной шины).
RAS to Active Time (tRCD) Время активности сигнала RAS.
Возможные значения:
  • Depend on memory - время устанавливается автоматически (по умолчанию);
  • диапазон значений - выбор значения вручную.
RAS# Pulse Width Длительность сигнала записи и чтения RAS в тактах системной шины.
Возможные значения:
  • 1Т - 1 такт системной шины;
  • 2Т - 2 такта системной шины.
Read Around Write Активация режима чтения данных непосредственно из буфера оперативной памяти (в том случае, если сразу после записи данных происходит их считывание). Этот режим должен поддерживаться модулями оперативной памяти.
Возможные значения:
  • Enabled - считывание из буфера включено;
  • Disabled - считывание из буфера выключено.
Read CAS# Pulse Width То же, что и CAS# Pulse Width, но при запросе на чтение.
Read RAS# Pulse Width То же, что и RAS# Pulse Width, но при запросе на чтение.
Ref/Act Command Delay Время задержки (в тактах системной шины) между окончанием процесса регенерации и началом командного режима.
Возможные значения:
Refresh Divider Коэффициент, используемый при вычислении частоты регенерации оперативной памяти. Чем меньше коэффициент, тем реже регенерация, тем выше производительность, тем меньше стабильность. Конкретные значения коэффициента зависят от типа материнской платы и версии БИОС.
Refresh During PCI Cycles Активация режима, при котором допускается регенерация памяти во время циклов чтения/записи данных на шине PCI. Практически не влияет на стабильность работы системы.
Возможные значения:
  • Enabled - регенерация во время чтения/записи разрешена;
  • Disabled - регенерация во время чтения/записи запрещена.
Refresh Queue Depth Аналогично DRAM Refresh Queue Depth.
Refresh When CPU Hold Осуществление регенерации памяти преимущественно во время простоя центрального процессора.
Возможные значения:
  • Enabled - опция включена;
  • Disabled - опция выключена.
Reserved Memory Base Резервирование области памяти под использование устройства, не поддерживающего технологию Plug and Play.
Reserved Memory Length Задание размера отводимой памяти для предыдущей опции.
Slow Refresh Активация режима регенерации оперативной памяти в 4 раза реже обычного. Значительно возрастает производительность. Целесообразно только на высококачественных модулях памяти.
Возможные значения:
  • Enabled - опция включена;
  • Disabled - опция выключена.
Speculative Leadoff Активация режима при котором чтение данных производится несколько раньше декодирования адреса области памяти, в которой размещены данные, подлежающие чтению.
Возможные значения:
  • Enabled - режим включен;
  • Disabled - режим отключен.
System Memory Frequency Частота шины памяти (справочная информация).
Turbo Read Leadoff (TRL) Активация режима уменьшения цикла обмена данными с оперативной памятью в целях ускорения работы.
Возможные значения:
  • Enabled - режим включен;
  • Disabled - режим отключен.
Turbo Read Pipelining Активация режима занижения времени цикла обращения к памяти.
Возможные значения:
  • Enabled - режим включен;
  • Disabled - режим отключен.
Turn-Around Insertion Установка дополнительного такта задержки между последовательными циклами обращения к памяти.
Возможные значения:
  • Enabled - дополнительный такт установлен;
  • Disabled - дополнительный такт не установлен.
Write CAS# Pulse Width Аналогично CAS# Pulse Width но при запросе на запись.
Write RAS# Pulse Width Аналогично RAS# Pulse Width но при запросе на запись.
Write Recovery Time (tWRO) Ручная регулировка времени регенерации оперативной памяти.
n Memory Resources Разрешение области резервирования памяти под устройство, не поддерживающее Plug and Play.
Возможные значения:
  • Enabled - опция включена;
  • Disabled - опция выключена.


В начало страницы



В начало страницы